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BC848CT116

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BC848CT116

Manufacturer
Description
Transistors Bipolar - BJT NPN 30V 1MA Transistor TRANSISTOR NPN 30V 1MA SST3 TR Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1MA
Category
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商业参数

最小起订量3000单位包装3000
产品类别Transistors Bipolar - BJT标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

最大功率350mW晶体管类型NPN
供电电压30 VVce饱和电压(最大)30 V
过渡频率200MHz增益带宽积200 MHz
平均正向功率0.35 W最大功耗0.35 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 VVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic5 V
集电极电流(Ic)(最大)100mA集电极截止电流(最大)0.1 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce200

机械参数

宽度1.3 mm高度0.95 mm
长度2.9 mm包装方式Reel
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
封装形式SOT-23供应商器件封装SST3

产品信息

制造商全称ROHM Semiconductor配置Single

环境参数

工作温度+ 150 C

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