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BSM080D12P2C008
| Manufacturer | |
| Description | Discrete Semiconductor Modules Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V |
| Category |
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商业参数
| 产品 | Power Semiconductor Modules | 工厂包装数量 | 12 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | - 6 V, + 22 V | 通道数量 | 2 Channel |
| 平均正向功率 | 600 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1.2 kV |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 80 A | ||
机械参数
| 包装方式 | Bulk | 安装样式 | Screw |
| 封装形式 | Module | ||
产品信息
| 类型 | SiC Power Module | 系列 | BSMx |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor | 配置 | Half-Bridge |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||