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BSM120D12P2C005

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BSM120D12P2C005

Manufacturer
Description
SIC PWR MODULE 1200V 120A Discrete Semiconductor Modules Mod: 1200V 120A (w/ Diode) MODULE, POWER, SIC, 1200V, 120A SiC Power Module 120A 1200V
Category
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商业参数

标准包装数量1

合规参数

RoHSRoHS Compliant海关税号85359000

电气参数

FET类型2 N-Channel (Half Bridge)FET特性Silicon Carbide (SiC)
最大功率780W晶体管类型:N Channel
Vgs(th)(最大)@ Id2.7V @ 22mA阈值电压:2.7V
最大功耗:780W漏源电压(Vdss)1200V (1.2kV)
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds14000pF @ 10V连续漏极电流(Id)@ 25°C120A

机械参数

重量0.05包装方式*
安装类型*引脚数:10
封装形式Module材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
供应商器件封装Module

产品信息

系列*

环境参数

工作温度:-40°C

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