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BSM180D12P2C101
| Manufacturer | |
| Description | SIC PWR MOD DMOS HALF BRIDGE MODULE, POWER, SIC, 1200V, 180A Discrete Semiconductor Modules Mod: 1200V 180A (no Diode) SiC Power Module 180A 1200V |
| Category |
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商业参数
| 标准包装数量 | 1 | ||
合规参数
| 海关税号 | 85359000 | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET特性 | Silicon Carbide (SiC) |
| 最大功率 | 1130W | 晶体管类型 | :N Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 35.2mA | 阈值电压 | :2.7V |
| 最大功耗 | :1.13kW | 漏源电压（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 23000pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 180A |
机械参数
| 重量 | 0.05 | 包装方式 | Bulk |
| 安装类型 | * | 引脚数 | :10 |
| 封装形式 | Module | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 供应商器件封装 | Module | ||
产品信息
| 系列 | * | ||
环境参数
| 工作温度 | :-40°C | ||
Documents & Media
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