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BSM180D12P3C007
| Manufacturer | |
| Description | Discrete Semiconductor Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD |
| Category |
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商业参数
| 产品 | Power Semiconductor Modules | 工厂包装数量 | 12 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 50 ns | 最大栅源电压 Vgs | - 4 V, + 22 V |
| 上升时间（典型） | 70 ns | 首抽头延迟 | 165 ns |
| 平均正向功率 | 880 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1200 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 50 ns | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 180 A |
机械参数
| 包装方式 | Tray | 安装样式 | Screw |
| 封装形式 | Module | ||
产品信息
| 类型 | SiC Power Module | 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
| 配置 | Half-Bridge | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||