点击放大查看
BSM300D12P2E001
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET 2N-CH 1200V 300A Discrete Semiconductor Modules 300A SiC Power Module SICDMOS 1200V 300A 1.6V Modul |
| Category |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 产品 | Power MOSFET Modules | 工厂包装数量 | 4 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | 22 V | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.7 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | THT mOhm |
| 平均正向功率 | 1875 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1.6 V |
| 空闲电流，典型值 @ 25°C | 1450 A | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 300 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | SiC nC | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 300 A |
机械参数
| 高度 | 17 mm | 长度 | 122 mm |
| 包装方式 | Tray | 安装样式 | Screw |
| 封装形式 | MODUL | ||
产品信息
| 类型 | SiC Power Module | 系列 | BSMx |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor | 配置 | SiC-DSMOSFET, SiC-SBD |
环境参数
| 工作温度 | - 40 C | ||