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QS5U21TR
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET P-CH 20V 1.5A Transistor MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5 MOSFET, P, VGS -2.5V |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | QS5U21CT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 3,000 | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 10 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :-4.5V | FET特性 | Diode (Isolated) |
| 最大功率 | 900mW | 额定功率 | 1.25 W |
| 上升时间（典型） | 10 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 35 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 1mA |
| 阈值电压 | :-2V | 导通电阻 RDS(On) | :340mohm |
| 触点电压（最大） | :-20V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| 最大功耗 | :900mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 20 V |
| 电容比测试条件 | :325pF | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | :6A | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | :10ns |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 12 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 1.5 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 325pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.5A (Ta) | ||
机械参数
| 重量 | 0.000014 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :5 |
| 封装形式 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 插针孔直径 | :1(G),2(S),3(A),4(K),5(D) | 供应商器件封装 | TSMT5 |
产品信息
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
Documents & Media
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