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QS5U28TR
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET P-CH 20V 2A Transistor MOSFET P-CH 20V 2A TSMT5 ROHM Si P沟道 MOSFET + 二极管 , 2 A, Vds=20 V, 5针 TSMT封装 |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 产品 | MOSFET Small Signal |
| 单位包装 | 3000 | 其他名称 | QS5U28CT |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 16 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 2V @ 1mA | FET特性 | Diode (Isolated) |
| 最大功率 | 900mW | 额定功率 | 1.25 W |
| 开通延迟时间 | 10 ns | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 16 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 关断延迟时间 | 32 ns | 首抽头延迟 | 32 ns |
| 供电电压 | 20 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 245 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 1mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 125 mOhms at 4.5 V |
| 平均正向功率 | 1.25 W | 最大功耗 | 0.9 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 20 V | 导通电阻（最大） | 125 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 4.8nC @ 4.5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 12 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | - 2 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 450pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2A (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 1.6mm | 高度 | 0.85mm |
| 长度 | 2.9mm | 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 5 | 封装形式 | TSMT-5 |
| 包装数量 | TSMT | 尺寸/外形 | 2.9 x 1.6 x 0.85mm |
| 供应商器件封装 | TSMT5 | ||
产品信息
| 系列 | QS5U28 | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | P |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
Documents & Media
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