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RDN050N20FU6
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-10V Transistor MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 500 | 单位包装 | 500 |
| 标准包装数量 | 500 | 工厂包装数量 | 500 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | 10 V |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 9.3 nC |
| 最大功率 | 30W | 额定功率 | 30 W |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 1mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.55 Ohms |
| 平均正向功率 | 30 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V |
| 导通电阻（最大） | 720 mOhms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 18.6nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 8 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 292pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5A (Ta) |
机械参数
| 包装方式 | Bulk | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | TO-220FN |
| 供应商器件封装 | TO-220FN | ||
产品信息
| 技术 | Si | 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
环境参数
| 机械寿命 | NRND: Not recommended for new designs. | ||
Documents & Media
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