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RJP020N06T100
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R MOSFET N-CH 60V 2.5A N-CHAN.MOS-FET+ESD 2A 60V MPT3 MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 MOSFET,N CH,60V,2A,SOT-89 |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 单位包装 | 1000 |
| 其他名称 | RJP020N06T100TR | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 20 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 500mW | 额定功率 | 2 W |
| 下降时间（典型） | 20 ns | 上升时间（典型） | 18 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 40 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 1mA | 击穿电压 | 60 V |
| 阈值电压 | :4.5V | 最大额定电流 | :2A |
| 导通电阻 RDS(On) | :165mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 240@4.5V mOhm |
| 最大功耗 | :500mW | 传播延迟（最大） | 18 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V | 每端口功率（瓦） | 0.5W |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 60V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 10nC @ 4V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 8 ns | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 2 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 12 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 160pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2A (Ta) | ||
机械参数
| 重量 | 0.00005 | 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | 4MPT |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 供应商器件封装 | MPT3 |
产品信息
| 已删除 | Compliant | 极性 | N-CHANNEL |
| 匹配码 | RJP020N06 | 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single | 标准交期 | 16 weeks |
环境参数
| 工作温度 | :150°C | ||
Documents & Media
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