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RK7002T116
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SST T/R MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 MOSFET N-CH 60V 115MA CHANNEL 60V .115A MOSFET, N CH, 60V, 0.115A, SOT-23 |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | RK7002T116TR | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412100 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 225mW |
| 额定功率 | 225 mW | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 20 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 击穿电压 | 60 V | 阈值电压 | :1.85V |
| 最大额定电流 | :115mA | 导通电阻 RDS(On) | :7.5ohm |
| 触点电压（最大） | :60V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7500@10V mOhm |
| 最大功耗 | :225mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 60 V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 0.115 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 115 mA | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 50pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 115mA (Ta) | ||
机械参数
| 重量 | 0.00003 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :3 |
| 封装形式 | 3SST | 材料表面处理 | :- |
| 供应商器件封装 | SST3 | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
Documents & Media
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