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RQ1A060ZPTR
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8 MOSFET SW MOSFET MID PWR P-CH 12V -6A P-CH+ESD -12V -6A 23mOhm TSMT8 |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | RQ1A060ZPTRCT | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 230 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 1V @ 1mA | FET特性 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 栅极电荷 | 34 nC | 最大功率 | 1.5W |
| 上升时间（典型） | 105 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 400 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 1mA | 二极管配置 | NO |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6A, 4.5V | 平均正向功率 | 1.5 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 12 V | 逻辑电压 - VIL, VIH | YES |
| 每端口功率（瓦） | 1.5 W | 导通电阻（最大） | 16 mOhms |
| 空闲电流，典型值 @ 25°C | -6 A | 供电电压 (Vcc/Vdd) | -12 V |
| 电流传输比（最小） | 7.5 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 34nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2800pF @ 6V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 6A | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | TSMT8 | ||
产品信息
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
Documents & Media
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