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RRR015P03TL
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin TSMT T/R Middle Power MOSFET Series MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3 MOSFET 4V DRIVE PCH MOSFET |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | RRR015P03TLCT | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 13 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Logic Level Gate, 4V Drive |
| 栅极电荷 | 6.5 nC | 最大功率 | 1W |
| 额定功率 | 1 W | 下降时间（典型） | 13 ns |
| 上升时间（典型） | 8 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 40 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 击穿电压 | 30 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 160@10V mOhm |
| 平均正向功率 | 1 W | 传播延迟（最大） | 8 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 导通电阻（最大） | 115 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 1.2 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6.5nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.5 A | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 230pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.5A (Ta) |
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 3TSMT |
| 冷却的封装 | TSMT | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TSMT3 | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 极性 | P |
| 技术 | Si | 通道类型 | P |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||