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RSD200N10TL
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET Nch; 20W; 100V; 20A Power MOSFET Series MOSFET N-CH 100V 20A CPT3 |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | RSD200N10TLTR | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 2,500 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 20W | 额定功率 | 20 W |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 128 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 52 mOhms |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 48.5nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 20 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2200pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 20A (Ta) |
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | CPT3 |
| 供应商器件封装 | CPT3 | ||
产品信息
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
Documents & Media
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