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| Manufacturer | |
| Description | MOSFET 30V 4A P CHANNEL MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC MOSFET, P, 30V, 4A |
| Category |
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商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 2,500 |
| 工厂包装数量 | 2500 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 15 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :-10V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 2W | 额定功率 | 2 W |
| 上升时间（典型） | 25 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 45 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 阈值电压 | :-2.5V | 导通电阻 RDS(On) | :77mohm |
| 触点电压（最大） | :-30V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4A, 10V |
| 最大功耗 | :2W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 30 V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 8nC @ 5V | 峰值脉冲电流（8/20µs） | :20A |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 4 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 800pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A (Ta) | ||
机械参数
| 重量 | 0.000084 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 供应商器件封装 | 8-SOP | ||
产品信息
| 配置 | Single Quad Drain Dual Source | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
