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| Manufacturer | |
| Description | MOSFET 30V 13A N CHANNEL Transistor MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC MOSFET, N, 30V, 13A |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 单位包装 | 2500 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 2,500 |
| 工厂包装数量 | 2500 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 55 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :10V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 2W | 额定功率 | 2 W |
| 上升时间（典型） | 30 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 88 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 阈值电压 | :2.5V | 导通电阻 RDS(On) | :11.1mohm |
| 触点电压（最大） | :30V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 8.1 mOhm @ 13A, 10V |
| 最大功耗 | :2W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 电容比测试条件 | :2000pF | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 35nC @ 5V |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | :52A | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | :55ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 13 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2000pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 13A (Ta) | ||
机械参数
| 重量 | 0.000084 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 插针孔直径 | :S(1+2+3),D(5+6+7+8),G(4) | 供应商器件封装 | 8-SOP |
产品信息
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
