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RTF015P02TL
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3 P-CHANNEL MOSFET 20V 1,5A TUMT3 |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | RTF015P02TLTR | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 3,000 | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 12 ns |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 800mW |
| 额定功率 | 0.8 W | 上升时间（典型） | 12 ns |
| 晶体管类型 | P-Channel | 首抽头延迟 | 38 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 1mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.18 Ohms |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 20 V | 每端口功率（瓦） | 0.8W |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 20V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.2nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 12 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | +/- 1.5 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 560pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.5A (Ta) | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TUMT-3 |
| 供应商器件封装 | TUMT3 | ||
产品信息
| 极性 | P-CHANNEL | 匹配码 | RTF015P02 |
| 配置 | Single | 标准交期 | 16 weeks |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
Documents & Media
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