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RTF025N03TL
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT3 Transistor MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 Trans MOSFET N-CH 30V 2.5A 3-Pin TUMT T/R |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 产品 | MOSFET Small Signal |
| 单位包装 | 3000 | 其他名称 | RTF025N03TLTR |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 15 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 800mW | 额定功率 | 0.8 W |
| 上升时间（典型） | 15 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 27 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 1mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.7 Ohms |
| 平均正向功率 | 800 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 48 mOhms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.2nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 8 ns | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 12 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 270pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.5A (Ta) |
机械参数
| 高度 | 0.77 mm | 长度 | 2 mm |
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TUMT-3 |
| 供应商器件封装 | TUMT3 | ||
产品信息
| 类型 | MOSFET | 系列 | RTF025N03 |
| 已删除 | Compliant | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
Documents & Media
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