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RUL035N02TR
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 20V 3.5A 6-Pin TUMT T/R Transistor MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6 MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 3.5A ROHM N沟道 Si MOSFET , 3.5 A, Vds=20 V, 6针 TUMT封装 |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | RUL035N02CT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 50 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±10 V | FET特性 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 栅极电荷 | 5.7 nC | 最大功率 | 1W |
| 额定功率 | 1 W | 开通延迟时间 | 10 ns |
| 下降时间（典型） | 50 ns | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 20 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 40 ns | 首抽头延迟 | 40 ns |
| 供电电压 | 20 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 93 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 1mA | 击穿电压 | 20 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 43@4.5V mOhm | 平均正向功率 | 1 W |
| 最大功耗 | 1 W | 传播延迟（最大） | 20 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 20 V | 导通电阻（最大） | 31 mOhms |
| 电流传输比（最小） | 3.2 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.7nC @ 4.5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 10 ns | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 3.5 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 10 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 3.5 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 460pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 3.5A (Ta) | ||
机械参数
| 宽度 | 1.8mm | 高度 | 0.82mm |
| 长度 | 2.1mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 6 | 封装形式 | 6TUMT |
| 包装数量 | TUMT | 尺寸/外形 | 2.1 x 1.8 x 0.82mm |
| 供应商器件封装 | TUMT6 | ||
产品信息
| 系列 | RUL035N02 | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor | 卡标准 | 功率 MOSFET |
| 配置 | Single Quad Drain | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||
Documents & Media
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