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SP8K1FU6TB
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET 30V 5A N-CHAN DUAL Transistor MOSFET N-CH DUAL 30V 5A 8SOIC |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 单位包装 | 2500 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 2,500 |
| 工厂包装数量 | 2500 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | 2 N-Channel (Dual) | 下降时间 | 5 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 2W | 额定功率 | 2 W |
| 上升时间（典型） | 8 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 22 ns | 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.051 Ohms |
| 平均正向功率 | 2 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 51 mOhms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 5.5nC @ 5V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 6 ns | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 230pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 5A |
机械参数
| 宽度 | 4.4 mm | 高度 | 1.5 mm |
| 长度 | 5 mm | 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | SOP-8 | 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
产品信息
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | ROHM Semiconductor | 配置 | Dual Dual Drain |
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||
Documents & Media
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