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SP8M4FU6TB
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V Transistor MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC MOSFET, DUAL, NP, SOP8 |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 单位包装 | 2500 |
| 其他名称 | SP8M4FU6TBCT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 2,500 | 工厂包装数量 | 2500 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | N and P-Channel | 下降时间 | 22 ns, 70 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :10V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 2W | 额定功率 | 2 W |
| 上升时间（典型） | 15 ns, 50 ns | 晶体管类型 | N and P-Channel |
| 首抽头延迟 | 55 ns, 110 ns | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA |
| 阈值电压 | :2.5V | 最大额定电流 | :9A |
| 导通电阻 RDS(On) | :25mohm | 触点电压（最大） | :30V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 10V | 最大功耗 | :2W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 导通电阻（最大） | :0.012ohm |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 21nC @ 5V | 峰值脉冲电流（8/20µs） | :28A |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | +/- 9 A, +/- 7 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1190pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 9A, 7A | ||
机械参数
| 重量 | 0.000084 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 端接方式 | :SMD | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :8 |
| 封装形式 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | ||
产品信息
| 配置 | Dual Dual Drain | 模块/板类型 | :Dual |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
