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US5U3TR
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 5-Pin TUMT T/R Transistor MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5 MOSFET 2.5V Drive N-Chan + Sch Barrier Diode |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | US5U3CT | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 6 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | FET特性 | Diode (Isolated) |
| 最大功率 | 700mW | 额定功率 | 1 W |
| 下降时间（典型） | 6 ns | 上升时间（典型） | 9 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 15 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.5V @ 1mA |
| 击穿电压 | 30 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 240@4.5V mOhm |
| 平均正向功率 | 1 W | 传播延迟（最大） | 9 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 导通电阻（最大） | 240 mOhms |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 2.2nC @ 4.5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 7 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 1.5 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 12 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 80pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.5A (Ta) |
机械参数
| 高度 | 0.77 mm | 长度 | 2 mm |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 5TUMT |
| 供应商器件封装 | TUMT5 | ||
产品信息
| 系列 | US5U3 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | -55 to 150 °C | ||