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QS8J2TR
| Manufacturer | |
| Description | Transistor MOSFET P-CH TSMT8 MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 4A 8PIN DUAL P-CH 12V 4A 36mOhm TSMT8 |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 标准包装数量 | 3,000 | 工厂包装数量 | 3000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | 2 P-Channel (Dual) | 下降时间 | 180 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 1V @ 1mA | FET特性 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 栅极电荷 | 20 nC | 最大功率 | 550W |
| 上升时间（典型） | 60 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 300 ns | 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1V @ 1mA | 二极管配置 | NO |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 36 mOhm @ 4A, 4.5V | 平均正向功率 | 1.5 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 12 V | 逻辑电压 - VIL, VIH | NO |
| 每端口功率（瓦） | 1.5 W | 导通电阻（最大） | 26 mOhms |
| 空闲电流，典型值 @ 25°C | -4 A | 供电电压 (Vcc/Vdd) | -12 V |
| 电流传输比（最小） | 5.5 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1940pF @ 6V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | TSMT8 | ||
产品信息
| 系列 | QS8J2 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
| 配置 | Dual | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||