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QS8J4TR
| Manufacturer | |
| Description | Transistor MOSFET P-CH TSMT8 MOSFET P-CH 30V 4A TSMT8 MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | QS8J4CT | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | 2 P-Channel (Dual) | 下降时间 | 50 ns, 50 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 2.5V @ 1mA | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 13 nC, 13 nC | 最大功率 | 550mW |
| 上升时间（典型） | 20 ns, 20 ns | 晶体管类型 | P-Channel |
| 首抽头延迟 | 80 ns, 80 ns | 通道数量 | 2 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.5V @ 1mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 4A, 10V |
| 平均正向功率 | 1.5 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 30 V, - 30 V |
| 导通电阻（最大） | 40 mOhms, 40 mOhms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 13nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 800pF @ 10V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 4A | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 8-SMD, Flat Lead |
| 供应商器件封装 | TSMT8 | ||
产品信息
| 系列 | QS8J4 | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | ROHM Semiconductor |
| 配置 | 2 P-Channel | ||
环境参数
| 工作温度 | + 150 C | ||