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RDD022N60TL
| Manufacturer | |
| Description | N-CH 600V 2A 6,7Ohm SMD CPT3 MOSFET N-CH 600V CPT MOSFET 10V DRIVE N-Ch MOSFET |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 单位包装 | 2500 |
| 标准包装数量 | 2,500 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 20W |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4.7V @ 1mA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5.2Ohm |
| 每端口功率（瓦） | 20W | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 600V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 7nC | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 2A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 175pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | SMD |
| 封装形式 | CPT3 | 供应商器件封装 | CPT3 |
产品信息
| 匹配码 | RDD022N60TL | 技术 | FastSwitch |
| 标准交期 | 14 weeks | ||
环境参数
| 热阻 @ GPM | 6.25K/W | ||