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SKM100GB125DN
| Manufacturer | |
| Description | SKM100GB125DN, IGBT Module, N-channel, Dual, 100A 1200V, 7-Pin D 93 IGBTHALFBRIDGEULTRAFAST,1200V,SEMITRANS SEMITRANS Transistor: IGBT; 1.2kV; 100A; SEMITRANS2N Semikron N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A 1200 V, 7针 SEMITRANS2封装 |
| Category |
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合规参数
| RoHS | RoHS Compliant Part | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±20V | 开启时间 | 40ns |
| 晶体管类型 | IGBT | 关断延迟时间 | 20ns |
| 供电电压 | 3.3V | 最小输入电压 | 1200 V |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1200 V | 集电极电流（Ic）（最大） | 100A |
| 集电极截止电流（最大） | 100 A | 集电极脉冲电流 (Icm) | 150A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | ±20V | ||
机械参数
| 宽度 | 34.5mm | 高度 | 30.5mm |
| 长度 | 94.5mm | 重量 | 0.17 kg |
| 安装类型 | Screw | 引脚数 | 7 |
| 封装形式 | SEMITRANS2N | 冷却的封装 | D 93 |
| 包装数量 | 8 | 尺寸/外形 | 94.5 x 34.5 x 30.5mm |
| 位数 | 7 | ||
产品信息
| 制造商 | 意大利 | SPG | 8 |
| 原理图 | see | 通道类型 | N |
| 配置 | Dual | 每IC通道数 | 双半桥 |
| 单元数量 | 1 | 容量（磅） | 0.18 千克 |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||