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SKM200GB123D

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SKM200GB123D

Manufacturer
Description
IGBT;D-56;IGBT;1200V;200A;1200V;20V;5.5V(Typ.) Transistor: IGBT; 1.2kV; 200A; SEMITRANS3
Category
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电气参数

最大栅源电压 Vgs±20V最大功率41mJ
开启时间100ns晶体管类型IGBT
关断延迟时间70ns开关能量24mJ
供电电压1200V25°C时电阻0.09K/W
阈值电压5.5V(Typ.)上升/下降时间(典型)70ns
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic2.5V集电极电流(Ic)(最大)200A
集电极脉冲电流 (Icm)400A

机械参数

重量0.3 kg安装类型screwed
封装形式D56包装数量12
主要材料Si尺寸/外形see

产品信息

SPG12类型Standard
极性N-Channel原理图see
单元数量1其他规格10nF

环境参数

工作温度–40to+150°C