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SKM200GB12E4
| Manufacturer | |
| Description | SKM200GB12E4, IGBT Halfbridge Module, N-channel, Dual, Emitter-Collector, 314A 1200V, 7-Pin D 56 IGBT;D-56;IGBT;1200V;310A;1200V;20V;5.5V(Typ.) IGBT module SEMITRANS 3 1200 V, SKM200GB12E4, Semikron Semikron N通道 IGBT 模块, 双半桥, 314 A 1200 V, 7针 SEMITRANS3封装 |
| Category |
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合规参数
| RoHS | RoHS Compliant Part | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | ±20V | 最大功率 | 33mJ |
| 晶体管类型 | IGBT | 开关能量 | 18mJ |
| 供电电压 | 1200V | 25°C时电阻 | 0.095K/W |
| 阈值电压 | 5.5V | 最小输入电压 | 1200 V |
| 上升/下降时间（典型） | 55ns | 最大功耗 | 21 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1200 V | 开通/关断时间（典型值） | 20 |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 1.9V | 集电极电流（Ic）（最大） | 300A |
| 集电极截止电流（最大） | 314 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | ±20V |
机械参数
| 宽度 | 61.4mm | 高度 | 30mm |
| 长度 | 106.4mm | 安装类型 | Screw |
| 引脚数 | 7 | 封装形式 | D56 |
| 冷却的封装 | D 56 | 包装数量 | SEMITRANS3 |
| 主要材料 | Si | 尺寸/外形 | 106.4 x 61.4 x 30mm |
| 位数 | 7 | ||
产品信息
| 制造商 | 斯洛伐克 | 类型 | SPT |
| 极性 | N-Channel | 通道类型 | N |
| 配置 | Dual, Emitter-Collector | 每IC通道数 | 双半桥 |
| 容量（磅） | 0.28 千克 | 连接方式 | 3 x M5 |
| 其他规格 | 13nF | ||
环境参数
| 工作温度 | +175 °C | ||