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STB11NM60-1
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp |
| Category |
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商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 50 | 标准封装名称 | I2PAK |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 11 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 160W | 额定功率 | 160 W |
| 下降时间（典型） | 11 ns | 上升时间（典型） | 20 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 6 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 600 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 450@10V mOhm |
| 最大功耗 | 160000 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 导通电阻（最大） | 450@10V | 电流传输比（最小） | 5.2 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 30nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 20 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 11 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 11 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1000pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 11A (Tc) |
机械参数
| 重量 | 0.050717 oz | 包装方式 | Tube |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 3I2PAK |
| 包装数量 | I2PAK | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | I2PAK | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | ||
Documents & Media
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