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STB12NK80ZT4
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH Trans MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK MOSFET, N CH, 800V, 10.5A, D2PAK STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET , 10.5 A, Vds=800 V, 3针 D2PAK封装 |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | 497-4320-2 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 1,000 | 工厂包装数量 | 1000 |
| 标准封装名称 | D2PAK | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85423300 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 20 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :10V | FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 87 nC | 最大功率 | 190W |
| 额定功率 | 190 W | 上升时间（典型） | 18 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 70 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 4.5V @ 100µA |
| 击穿电压 | 800 | 阈值电压 | :3.75V |
| 最大额定电流 | :10.5A | 导通电阻 RDS(On) | :650mohm |
| 触点电压（最大） | :800V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 5.25A, 10V |
| 最大功耗 | :190W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 800 V |
| 导通电阻（最大） | 750@10V | 电流传输比（最小） | 12 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 87nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 10.5 | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 10.5 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2620pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 10.5A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 9.35(Max) | 重量 | 0.0002 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing | 端接方式 | :SMD |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 总长度 | 10.4(Max) |
| 包装数量 | D2PAK | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 4.6(Max) | 供应商器件封装 | D2PAK |
产品信息
| 通道类型 | N | 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 2 | ||
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||
Documents & Media
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