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STB12NM50N

Manufacturer	STMicroelectronics N.V.
Description	MOSFET N-CHANNEL MOSFET Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK MOSFET, N, D2-PAK
Category	分立半导体元件分立半导体触发二极管

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商业参数

其他名称	497-5781-1	产品类别	MOSFET
标准包装数量	1,000	标准封装名称	D2PAK

合规参数

RoHS	Lead free / RoHS Compliant	SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant	海关税号	85412900

电气参数

电流	:5A	FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
下降时间	14 ns	压摆率	:15V/ns
最大栅源电压 Vgs	:10V	FET特性	Standard
最大功率	100W	额定功率	1000 W
上升时间（典型）	15 ns	晶体管类型	N-Channel
首抽头延迟	60 ns	元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	4V @ 250µA	钳位电压	:350mJ
击穿电压	500	阈值电压	:3V
最大额定电流	:11A	导通电阻 RDS(On)	:380mohm
触点电压（最大）	:500V	导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 5.5A, 10V
最大功耗	:100W	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	500 V
导通电阻（最大）	:380mohm	电容比测试条件	:880pF
电流传输比（最小）	17 S	栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	30nC @ 10V
峰值脉冲电流（8/20µs）	:44A	漏源电压（Vdss）	500V
峰值脉冲电流（10/1000µs）	11	栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 25 V
漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	11 A	输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	940pF @ 50V
连续漏极电流（Id）@ 25°C	11A (Tc)

机械参数

宽度	9.35(Max)	重量	0.0015
包装方式	Tape and Reel	插片宽度	Tab
引脚样式	Gull-wing	端接方式	:SMD
安装类型	Surface Mount	安装样式	SMD/SMT
引脚数	:3	封装形式	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
材料表面处理	:MSL 1 - Unlimited	总长度	10.4(Max)
包装数量	D2PAK	位数	3
外壳尺寸-插件	4.6(Max)	供应商器件封装	D2PAK

产品信息

通道类型	N	配置	Single
印刷电路板数量	2

环境参数

工作温度

- 55 C

结工作温度

:150°C

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STx12NM50N

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