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STD35NF06LT4

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STD35NF06LT4

Manufacturer
Description
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R N-CH 60V 35A 17mOhm TO252-3 MOSFET N-CH 60V 35A DPAK STD35NF06LT4, N-channel MOSFET Transistor 35A 60V, 3-Pin TO-252 MOSFET N-Ch 60 Volt 35 Amp MOSFET, N CH, 60V, 35A, DPAK MOSFETN35A60VTO252 STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 35 A, Vds=60 V, 3针 TO-252封装
Category
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商业参数

最小起订量2500单位包装2500
其他名称497-7965-1产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel工厂包装数量2500
标准封装名称DPAK

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900
汽车级NO抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间20 ns
最大栅源电压 Vgs±15 V逻辑类型YES
FET特性Logic Level Gate最大功率80W
噪声系数Not Required dB额定功率80 W
额定输出功率Not Required dB最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)100 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟40 ns元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA击穿电压60 V
阈值电压:1V最大额定电流:35A
导通电阻 RDS(On):14mohm触点电压(最大):60V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs17@10V mOhm最大功耗80 W
传播延迟(最大)100 ns集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic60 V
漏电流(最大)35 A每端口功率(瓦)80W
导通电阻(最大)0.017 Ω供电电压 (Vcc/Vdd)60V
电流传输比(最小)28 S栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs33nC
开关时间(Ton, Toff)(最大)20 nsVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)60V峰值脉冲电流(10/1000µs)35 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 16 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)35A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1700pF @ 25V连续漏极电流(Id)@ 25°C35A (Tc)

机械参数

宽度6.2mm高度2.4mm
长度6.6mm重量0.0002
包装方式Tape and Reel引脚样式Gull-wing
端接方式:SMD安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT引脚数:3
封装形式3TO-252冷却的封装TO-252
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited包装数量TO-252
尺寸/外形6.6 x 6.2 x 2.4mm位数3
供应商器件封装D-Pak

产品信息

类型Power MOSFET极性N
匹配码STD35NF06LT4技术StripFET
通道类型Enhancement卡标准Power MOSFET
配置Single标准交期10 weeks

环境参数

工作温度-55 to 175 °C热阻 @ GPM1.88K/W

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