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STD5NK40ZT4

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STD5NK40ZT4

Manufacturer
Description
Trans MOSFET N-CH 400V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R N-CH 400V 4A 1800mOhm TO252-3 MOSFET N-CH 400V 3A DPAK STD5NK40ZT4, N-channel MOSFET Transistor, 3A 400V, 3-Pin TO-252 MOSFET N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH MOSFET, N, D-PAK Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; 45W; DPAK STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 3 A, Vds=400 V, 3针 TO-252封装
Category
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商业参数

最小起订量2500单位包装2500
其他名称497-2477-2产品类别MOSFET
标准包装数量Tape & Reel工厂包装数量2500
标准封装名称DPAK

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900
汽车级NO无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间11 ns
最大栅源电压 Vgs±30 V逻辑类型NO
FET特性Standard最大功率45W
额定功率45 W下降时间(典型)11 ns
上升时间(典型)6 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟22.5 ns元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 50µA击穿电压400 V
阈值电压:3.75V最大额定电流:3A
导通电阻 RDS(On):1.8ohm触点电压(最大):400V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs1800@10V mOhm最大功耗45 W
传播延迟(最大)6 ns集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic400 V
每端口功率(瓦)45W导通电阻(最大)1.8 Ω
供电电压 (Vcc/Vdd)400V电流传输比(最小)2.2 S
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs17nC峰值脉冲电流(8/20µs):12A
开关时间(Ton, Toff)(最大)9.2 ns漏源电压(Vdss)400V
峰值脉冲电流(10/1000µs)3 A栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)4.0A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds305pF @ 25V
连续漏极电流(Id)@ 25°C3A (Tc)

机械参数

宽度6.2mm高度2.4mm
长度6.6mm重量0.00031
包装方式Tape and Reel引脚样式Gull-wing
端接方式:SMD安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT引脚数:3
封装形式3DPAK冷却的封装TO-252
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited包装数量DPAK
尺寸/外形6.6 x 6.2 x 2.4mm位数3
供应商器件封装D-Pak

产品信息

SPG100极性unipolar
匹配码STD5NK40ZT4技术SuperMESH
通道类型Enhancement卡标准Power MOSFET
配置Single单元数量1
标准交期10 weeks

环境参数

工作温度-55 to 150 °C热阻 @ GPM2.77K/W

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