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STL13NM60N
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II Trans MOSFET N-CH 600V 10A 4-Pin Power Flat T/R MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT MOSFET, N CH, 600V, 10A, POWERFLAT STMicroelectronics N沟道 Si MOSFET , 10 A, Vds=650 V, 5针 PowerFLAT HV封装 |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | 497-11845-2 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 3,000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | :10V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 90W |
| 额定功率 | 90 W | 晶体管类型 | N-Channel |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 击穿电压 | 600 | 阈值电压 | :3V |
| 导通电阻 RDS(On) | :0.32ohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 385 mOhm @ 5A, 10V |
| 最大功耗 | :90W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 导通电阻（最大） | 385@10V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 30nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 10 |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 25 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 10 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 790pF @ 50V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 10A (Tc) |
机械参数
| 重量 | 0.03 | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | No Lead | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :5 |
| 封装形式 | 5-PowerVDFN | 材料表面处理 | :MSL 3 - 168 hours |
| 包装数量 | Power Flat | 位数 | 4 |
| 供应商器件封装 | 5-PowerFlat™ HV (8x8) | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 55 C | ||