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STL24NM60N

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STL24NM60N

Manufacturer
Description
MOSFET N-Ch 600V 0.200 Ohm 16 A HV Mdmesh II Trans MOSFET N-CH 600V 16A 4-Pin Power Flat T/R MOSFET 600V 0.2 MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT MOSFET, N CH, 600V, 16A, POWERFLAT
Category
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商业参数

最小起订量3000单位包装3000
其他名称497-11206-2产品类别MOSFET
标准包装数量3,000

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间37 ns
最大栅源电压 Vgs:10VFET特性Standard
栅极电荷46 nC最大功率125W
额定功率3 W上升时间(典型)16.5 ns
晶体管类型N-Channel元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id5V @ 250µA击穿电压600
阈值电压:4V导通电阻 RDS(On):0.2ohm
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs215 mOhm @ 8A, 10V最大功耗:125W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V导通电阻(最大)215@10V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs46nC @ 10V漏源电压(Vdss)600V
峰值脉冲电流(10/1000µs)16栅极触发电压 Vgt (最大)25 V
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)16 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1400pF @ 50V
连续漏极电流(Id)@ 25°C3.3A (Ta), 16A (Tc)

机械参数

重量0.03包装方式Tape and Reel
引脚样式No Lead安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT引脚数:5
封装形式4-PowerFlat™ HV材料表面处理:MSL 3 - 168 hours
包装数量Power Flat位数4
供应商器件封装PowerFlat™ (8x8) HV

产品信息

通道类型Enhancement

环境参数

工作温度:150°C