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STL26NM60N
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II Trans MOSFET N-CH 600V 19A 4-Pin Power Flat T/R MOSFET 600V 0.1 MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT MOSFET, N CH, 600V, 19A, POWERFLAT |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 3000 | 单位包装 | 3000 |
| 其他名称 | 497-11207-2 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 3,000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 50 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :10V | FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 60 nC | 最大功率 | 125mW |
| 额定功率 | 3 W | 上升时间（典型） | 25 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA | 击穿电压 | 600 |
| 阈值电压 | :4V | 导通电阻 RDS(On) | :0.16ohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 10A, 10V | 最大功耗 | :125W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V | 导通电阻（最大） | 185@10V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 60nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 19 | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 25 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 19 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1800pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.7A (Ta), 19A (Tc) | ||
机械参数
| 重量 | 0.03 | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | No Lead | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 引脚数 | :5 |
| 封装形式 | 5-PowerFlat™ HV | 材料表面处理 | :MSL 3 - 168 hours |
| 包装数量 | Power Flat | 位数 | 4 |
| 供应商器件封装 | 5-PowerFlat™ HV (8x8) | ||
产品信息
| 通道类型 | Enhancement | ||
环境参数
| 工作温度 | :150°C | ||