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STP12NM50

Manufacturer	STMicroelectronics N.V.
Description	Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube N-CH 500V 12A 350mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 STP12NM50, N-channel MOSFET Transistor 12A 500V, 3-Pin TO-220 MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp STP12NM50 Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; 160W; TO220 MOSFET N, 500 V 12 A 160 W TO-220, STP12NM50, ST STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 12 A, Vds=500 V, 3针 TO-220封装
Category	分立半导体元件IGBT分立IGBT

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商业参数

最小起订量	50	单位包装	50
其他名称	497-2666-5	产品类别	MOSFET
标准包装数量	Rail / Tube	工厂包装数量	50
标准封装名称	TO-220

合规参数

RoHS	Lead free / RoHS Compliant	欧盟RoHS	Compliant
汽车级	NO	抗辐射加固	No
无铅定义	RoHS-conform

电气参数

FET类型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide	最大栅源电压 Vgs	±30 V
逻辑类型	NO	FET特性	Standard
最大功率	160W	噪声系数	Not Required dB
额定功率	160 W	额定输出功率	Not Required dB
最大频率	Not Required MHz	上升时间（典型）	10 ns
晶体管类型	N-Channel	元件数量	1
Vgs(th)（最大）@ Id	5V @ 50µA	击穿电压	500 V
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	350@10V mOhm	最大功耗	160 W
传播延迟（最大）	10 ns	集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	500 V
漏电流（最大）	12 A	每端口功率（瓦）	160W
导通电阻（最大）	0.35 Ω	供电电压 (Vcc/Vdd)	500V
电流传输比（最小）	5.5 S	栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	39nC
开关时间（Ton, Toff）（最大）	20 ns	Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic	Not Required %
漏源电压（Vdss）	500V	峰值脉冲电流（10/1000µs）	12 A
栅极触发电压 Vgt (最大)	+/- 30 V	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	12A
输入电容（Ciss）（最大）@ Vds	1000pF @ 25V	连续漏极电流（Id）@ 25°C	12A (Tc)

机械参数

宽度	4.6mm	高度	9.15mm
长度	10.4mm	重量	0.079014 oz
包装方式	Tube	插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole	安装类型	Through Hole
安装样式	Through Hole	封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220	总长度	10.4(Max)
包装数量	TO-220	尺寸/外形	10.4 x 4.6 x 9.15mm
位数	3	外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB

产品信息

SPG	100	类型	Power MOSFET
已删除	Compliant	极性	N
匹配码	STP12NM50	技术	MDmesh
通道类型	Enhancement	卡标准	Power MOSFET
配置	Single	单元数量	1
标准交期	10 weeks	印刷电路板数量	3

环境参数

工作温度

-65 to 150 °C

热阻 @ GPM

0.78K/W

Documents & Media

PDF Document

TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013

PDF Document

CD00002079.pdf

PDF Document

1690161.pdf

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