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STP6NK60ZFP

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STP6NK60ZFP

Manufacturer
Description
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube N-CH 600V 6A 1200mOhm TO220FP MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FP STP6NK60ZFP, N-channel MOSFET Transistor 6A 600V, 3-Pin TO-220FP MOSFET N-Channel 600V Zener SuperMESH MOSFET, N, TO-220FP STP6NK60ZFP STMicroelectronics , N沟道 MOSFET, 6 A, Vds=600 V, 3针 TO-220FP封装
Category
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商业参数

最小起订量2000单位包装50
其他名称497-5956-5产品类别MOSFET
标准包装数量Rail / Tube标准封装名称TO-220F

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900
汽车级NO抗辐射加固No
无铅定义RoHS-conform

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间19 ns
最大栅源电压 Vgs±30 V逻辑类型NO
FET特性Standard最大功率30W
噪声系数Not Required dB额定功率30 W
额定输出功率Not Required dB下降时间(典型)19 ns
最大频率Not Required MHz上升时间(典型)14 ns
晶体管类型N-Channel首抽头延迟47 ns
元件数量1Vgs(th)(最大)@ Id4.5V @ 100µA
击穿电压600 V阈值电压:3.75V
最大额定电流:6A导通电阻 RDS(On):1.2ohm
触点电压(最大):600V导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs1200@10V mOhm
最大功耗30 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic600 V
漏电流(最大)6 A每端口功率(瓦)110W
导通电阻(最大)1.2 Ω供电电压 (Vcc/Vdd)600V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs46nC峰值脉冲电流(8/20µs):24A
开关时间(Ton, Toff)(最大)14 nsVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)600V峰值脉冲电流(10/1000µs)6 A
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 30 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)6A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds905pF @ 25V连续漏极电流(Id)@ 25°C6A (Tc)

机械参数

宽度4.6mm高度9.3mm
长度10.4mm重量0.002
包装方式Tube插片宽度Tab
引脚样式Through Hole安装类型Through Hole
安装样式Through Hole引脚数:3
封装形式3TO-220FP冷却的封装TO-220FP
材料表面处理:-总长度10.4(Max)
包装数量TO-220FP尺寸/外形10.4 x 4.6 x 9.3mm
位数3外壳尺寸-插件16.4(Max)
供应商器件封装TO-220FP

产品信息

类型Power MOSFET极性N
匹配码STP6NK60ZFP技术SuperMESH
通道类型Enhancement卡标准Power MOSFET
配置Single标准交期10 weeks
印刷电路板数量3

环境参数

工作温度-55 to 150 °C热阻 @ GPM4.2K/W

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