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VNB20N07-E
| Manufacturer | |
| Description | Power Switch Lo Side 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube LSS 50mOhm 70V TO263-3 SMD MOSFET OMNIFET 70V 20A D2PAK MOSFET N-Ch 70V 20A OmniFET Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 20A; 83W; D2PAK STMicroelectronics 负载开关集成电路, 3针 D2PAK封装 |
| Category |
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商业参数
| 最小起订量 | 800 | 单位包装 | 50 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Rail / Tube |
| 工厂包装数量 | 50 | 标准封装名称 | D2PAK |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | AEC-Q(100) | 无铅定义 | RoHS-conform |
| 故障保护 | NANY/N/NA/NAN | ||
电气参数
| 通道数 | 1 | 下降时间 | 150 ns |
| 输入类型 | Non-Inverting | 栅极电荷 | 60 nC |
| 导通电阻（典型） | 50mOhm | 额定功率 | 83 W |
| 额定电压 | 18(Max) V | 上升时间（典型） | 240 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 输出电流 | 0.25 mA |
| 首抽头延迟 | 430 ns | 供电电压 | 70(Max) V |
| 输出数量 | 1 | 跳闸电流 | 20A |
| 峰值输出电流 | 20A | 最小输入电压 | 70V |
| 输出电流（典型） | 14 A | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 50 mOhms |
| 最大功耗 | 83000 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 70 V |
| 导通电阻（最大） | 0.07(Max) Ohm | 电流传输比（最小） | 17 S |
| 漏电流（IS(off)）（最大） | NY/N/NA/NAN | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 20 A |
机械参数
| 宽度 | 9.35(Max) | 重量 | 3.08 g |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 3D2PAK |
| 总长度 | 10.4(Max) | 包装数量 | D2PAK |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 4.6(Max) |
| 供应商器件封装 | D2PAK | ||
产品信息
| SPG | 150 | 类型 | Low Side |
| 极性 | unipolar | 匹配码 | VNB20N07-E |
| 原理图 | see | 配置 | Single |
| 单元数量 | 1 | 标准交期 | 46 weeks |
| 印刷电路板数量 | 2 | ||
环境参数
| 结工作温度 | -40°C | ||