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VNP35N07-E

Manufacturer	STMicroelectronics N.V.
Description	Power Switch Lo Side 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube LSS 28mOhm 70V TO220-3 THT MOSFET OMNIFET 70V 35A TO-220 MOSFET N-Ch 70V 35A OmniFET Transistor: N-MOSFET; unipolar; 70V; 35A; TO220 Power FET TO-220 N 70 V 35 A, VNP35N07-E, ST STMicroelectronics 智能电源开关, 35A, 70V, 3针 TO-220封装
Category	分立半导体元件分立半导体触发二极管

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商业参数

最小起订量	1000	单位包装	50
产品类别	MOSFET	标准包装数量	Rail / Tube
工厂包装数量	50	标准封装名称	TO-220

合规参数

RoHS	Lead free / RoHS Compliant	SVHC	:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHS	Compliant	海关税号	85412900
汽车级	AEC-Q(100)	抗辐射加固	No
无铅定义	RoHS-conform	故障保护	NANY/N/NA/NAN

电气参数

通道数	1	最大栅源电压 Vgs	:10V
输入类型	Non-Inverting	导通电阻（典型）	28mOhm
额定功率	125 W	额定电压	18(Max) V
晶体管类型	N-Channel	输出电流	35 A
供电电压	70(Max) V	输出数量	1
跳闸电流	35A	阈值电压	:3V
最大额定电流	:35A	导通电阻 RDS(On)	:28mohm
触点电压（最大）	:70V	峰值输出电流	35A
最小输入电压	70V	输出电流（典型）	35(Max) A
导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs	28 mOhms	最大功耗	125000 mW
集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic	70 V	导通电阻（最大）	0.028(Max) Ohm
电流传输比（最小）	25 S	漏源电压（Vdss）	:80V
漏电流（IS(off)）（最大）	NY/N/NA/NAN	漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）	35 A
连续漏极电流（Id）@ 25°C	:18A

机械参数

宽度	4.6(Max)	重量	0.00195
包装方式	Tube	插片宽度	Tab
引脚样式	Through Hole	端接方式	:Through Hole
安装类型	Through Hole	安装样式	Through Hole
引脚数	:3	封装形式	3TO-220
冷却的封装	TO-220	材料表面处理	:-
总长度	10.4(Max)	包装数量	TO-220
位数	3	外壳尺寸-插件	9.15(Max)
供应商器件封装	TO-220AB

产品信息

SPG	20	类型	Low Side
已删除	Compliant	极性	unipolar
匹配码	VNP35N07-E	原理图	see
开关类型	Low Side	单元数量	1
标准交期	42 weeks	其他规格	VNP35N07
印刷电路板数量	3

环境参数

工作温度

:-55°C

结工作温度

-40°C

Documents & Media

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1793247.pdf

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