ONEIC.US
BQ4011MA-100

点击放大查看

BQ4011MA-100

Manufacturer
Description
NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 5V 28-Pin DIP Module IC NVSRAM 256KBIT 100NS 28DIP BQ4011MA-100, NVRAM Memory 256kbit Through Hole, 4.75 to 5.5V, 0 to +70°C, 28-Pin, DIP
Category
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

标准包装数量Trays标准封装名称DIP Module

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

转速100ns接口Parallel
存取时间100ns存储器容量256K (32K x 8)
存储器类型NVSRAM (Non-Volatile SRAM)额定电压4.75 V
输出电流50 mA供电电压5 V
最大额定电流50最小供电电压5.5 V
共模瞬态抗扰度(最小)Commercial

机械参数

宽度18.42mm高度9.4mm
长度37.72mm包装方式Tray
引脚样式Through Hole安装类型Through Hole
封装形式28DIP Module冷却的封装DIP
总长度37.72包装数量DIP Module
尺寸/外形37.72 x 18.42 x 9.4mm位数28
外壳尺寸-插件9.4供应商器件封装28-DIP Module (18.42x37.72)
核心数/总线宽度8 Bit

产品信息

类型NVSRAM已删除Compliant
密度256 Kb制造商全称32Kx8
存储器格式RAM总线连接Parallel
印刷电路板数量28

环境参数

工作温度0 to 70 °C

Documents & Media

PDF Document
PDF Document