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CSD13202Q2
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 12V 22A 6-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 12V 76A 6SON N-Channel Power MOSFET, CSD13202Q2, 12V Vds, 9.3mohm Rdson4.5 (max) MOSFET N-CH Power MOSFET 12V 9.3mohm |
| Category |
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商业参数
| 商标名 | NexFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 零件状态 | ACTIVE |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 13.6 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 5.1 nC | 最大功率 | 2.7W |
| 上升时间（典型） | 28 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 11 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.1V @ 250µA | 最大额定电流 | Catalog |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 9.3 mOhm @ 5A, 4.5V | 平均正向功率 | 2.7 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 12 | 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes |
| 导通电阻（最大） | 9.3 mOhms | 电流传输比（最小） | 44 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 6.6nC @ 4.5V | 峰值脉冲电流（8/20µs） | 76 |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 4.5 ns | 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 997pF @ 6V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 22A (Ta) |
机械参数
| 高度 | 0.75 mm | 长度 | 2 mm |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 6-VDFN Exposed Pad |
| 包装数量 | 3000 | LARGE T&R | 供应商器件封装 | 6-SON (2x2) |
产品信息
| 系列 | * | 软件 | SLPS313 |
| 技术 | Si | 通道类型 | Depletion |
| 制造商全称 | Texas Instruments | 配置 | Single |
| 图案编号 | Y | 功能框图 | alt_slps313.gif |
| 使用的IC/零件 | View | 其他规格 | 0.76 |
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | + 150 C |