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CSD13381F4
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR 12V, N-Channel FemtoFET™MOSFET MOSFET 12V N-CH Pwr MOSFET |
| Category |
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商业参数
| 商标名 | NexFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 零件状态 | ACTIVE |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 3.8 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 1.06 nC | 最大功率 | 500mW |
| 上升时间（典型） | 1.5 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 11 ns | 通道数量 | 1 Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.1V @ 250µA | 最大额定电流 | Catalog |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 500mA, 4.5V | 平均正向功率 | 500 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 12 | 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes |
| 导通电阻（最大） | 180 mOhms | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 1.4nC @ 4.5V |
| 峰值脉冲电流（8/20µs） | 7 | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 3.7 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 200pF @ 6V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 2.1A (Ta) | ||
机械参数
| 高度 | 0.35 mm | 长度 | 1 mm |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 3-XFDFN |
| 包装数量 | 3000 | LARGE T&R | 供应商器件封装 | 3-PICOSTAR |
产品信息
| 系列 | CSD13381F4 | 软件 | SLPS448D |
| 技术 | Si | 制造商全称 | Texas Instruments |
| 配置 | Single | 图案编号 | Y |
| 功能框图 | fbd_slps448d.gif | 使用的IC/零件 | View |
| 其他规格 | 0.14 | ||
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | + 150 C |