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CSD16340Q3
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 25V 60A 8SON MOSFET, N CH, 25V, 21A, 8SON 25V, N Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=25 V, 8针 SON封装 MOSFET N Channel NexFET Power MOSFET |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | 296-25646-2 | 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel |
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 零件状态 | ACTIVE | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | 10 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 3W |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 3 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 下降时间（典型） | 5.2 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz | 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 13.8 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 1.1V @ 250µA | 击穿电压 | 25 V |
| 阈值电压 | :850mV | 最大额定电流 | :60A |
| 导通电阻 RDS(On) | :3.8mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4.5@8V mOhm |
| 最大功耗 | :3W | 传播延迟（最大） | 16.1 ns |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 V | 漏电流（最大） | 21 A |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes | 导通电阻（最大） | 4.5@8V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 9.2nC @ 4.5V | 峰值脉冲电流（8/20µs） | 115 |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 4.8 ns | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 21 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 21 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1350pF @ 12.5V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 21A (Ta), 60A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 3.3 | 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | 8SON EP |
| 冷却的封装 | SON EP | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 3.3 | 包装数量 | SON EP |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1 |
| 供应商器件封装 | 8-SON | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 已删除 | Compliant |
| 极性 | N | 软件 | SLPS247E |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 图案编号 | Y | 功能框图 | fbd_slps247e.gif |
| 使用的IC/零件 | View | 其他规格 | 1.2 |
| 印刷电路板数量 | 8 | ||
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | -55 to 150 °C |