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CSD17301Q5A

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CSD17301Q5A

Manufacturer
Description
Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 30V 28A 8SON MOSFET, N CH, 30V, 100A, 8SON 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=30 V, 8针 SON封装 MOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET
Category
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商业参数

其他名称296-25795-2标准包装数量2,500

合规参数

RoHSContains lead / RoHS compliant by exemptionSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900
零件状态ACTIVE抗辐射加固No

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs10 V
FET特性Logic Level Gate最大功率3.2W
噪声系数Not Required dB额定功率3.2 W
额定输出功率Not Required dB下降时间(典型)10.5 ns
最大频率Not Required MHz晶体管类型:N Channel
首抽头延迟28 ns元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1.55V @ 250µA击穿电压30 V
阈值电压:1.1V最大额定电流:100A
导通电阻 RDS(On):2mohm导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs2.6@8V mOhm
最大功耗:3.2W传播延迟(最大)16.2 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V漏电流(最大)28 A
逻辑电压 - VIL, VIHYes导通电阻(最大)2.6@8V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs25nC @ 4.5V峰值脉冲电流(8/20µs)181
开关时间(Ton, Toff)(最大)10.7 nsVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)30V峰值脉冲电流(10/1000µs)28 A
漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)28 A输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3480pF @ 15V
连续漏极电流(Id)@ 25°C28A (Ta), 100A (Tc)

机械参数

宽度5.75重量0.0001
包装方式Tape and Reel安装类型Surface Mount
引脚数:8封装形式8SON EP
冷却的封装SON EP材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
总长度4.9包装数量SON EP
位数8外壳尺寸-插件1
供应商器件封装8-SON (5x6)

产品信息

类型Power MOSFET已删除Compliant
极性N软件SLPS215C
通道类型Enhancement配置Single
图案编号Y使用的IC/零件View
其他规格4.3印刷电路板数量8

环境参数

测试温度-55 to 150工作温度-55 to 150 °C

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