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CSD17301Q5A
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 30V 28A 8-Pin SON EP T/R MOSFET N-CH 30V 28A 8SON MOSFET, N CH, 30V, 100A, 8SON 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=30 V, 8针 SON封装 MOSFET 30V N Channel NexFET Pwr MOSFET |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | 296-25795-2 | 标准包装数量 | 2,500 |
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS compliant by exemption | SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 欧盟RoHS | Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 零件状态 | ACTIVE | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | 10 V |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 3.2W |
| 噪声系数 | Not Required dB | 额定功率 | 3.2 W |
| 额定输出功率 | Not Required dB | 下降时间(典型) | 10.5 ns |
| 最大频率 | Not Required MHz | 晶体管类型 | :N Channel |
| 首抽头延迟 | 28 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)(最大)@ Id | 1.55V @ 250µA | 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :1.1V | 最大额定电流 | :100A |
| 导通电阻 RDS(On) | :2mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 2.6@8V mOhm |
| 最大功耗 | :3.2W | 传播延迟(最大) | 16.2 ns |
| 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 30 V | 漏电流(最大) | 28 A |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes | 导通电阻(最大) | 2.6@8V |
| 栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 25nC @ 4.5V | 峰值脉冲电流(8/20µs) | 181 |
| 开关时间(Ton, Toff)(最大) | 10.7 ns | Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 峰值脉冲电流(10/1000µs) | 28 A |
| 漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0) | 28 A | 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 3480pF @ 15V |
| 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 28A (Ta), 100A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 5.75 | 重量 | 0.0001 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 引脚数 | :8 | 封装形式 | 8SON EP |
| 冷却的封装 | SON EP | 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited |
| 总长度 | 4.9 | 包装数量 | SON EP |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1 |
| 供应商器件封装 | 8-SON (5x6) | ||
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 已删除 | Compliant |
| 极性 | N | 软件 | SLPS215C |
| 通道类型 | Enhancement | 配置 | Single |
| 图案编号 | Y | 使用的IC/零件 | View |
| 其他规格 | 4.3 | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | -55 to 150 °C |
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