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CSD17303Q5
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R MOSFET N-CH 30V 100A 8SON MOSFET Transistor 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=30 V, 8针 SON封装 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET |
| Category |
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商业参数
| 其他名称 | 296-27232-2 | 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel |
| 标准封装名称 | SON | ||
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | 零件状态 | ACTIVE |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | 10 V |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 3.2W |
| 下降时间(典型) | 10.4 ns | 晶体管类型 | :N, :N Channel |
| 首抽头延迟 | 27 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)(最大)@ Id | 1.6V @ 250µA | 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :1.1V | 最大额定电流 | Catalog |
| 导通电阻 RDS(On) | :2mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 2.4@8V mOhm |
| 最大功耗 | :3.2W | 传播延迟(最大) | 16 ns |
| 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 30 | 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes |
| 导通电阻(最大) | 2.4@8V | 栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| 峰值脉冲电流(8/20µs) | 200 | 开关时间(Ton, Toff)(最大) | 11.4 ns |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 峰值脉冲电流(10/1000µs) | 32 A |
| 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 3420pF @ 15V | 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 32A (Ta), 100A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 6.1(Max) | 重量 | 0 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | 8SON | 总长度 | 5.1(Max) |
| 包装数量 | SON | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1.05(Max) | 供应商器件封装 | 8-SON |
产品信息
| 软件 | SLPS246B | 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single | 使用的IC/零件 | View |
| 其他规格 | 4 | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | -55 to 150 °C |
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