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CSD17303Q5

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CSD17303Q5

Manufacturer
Description
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin SON T/R MOSFET N-CH 30V 100A 8SON MOSFET Transistor 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=30 V, 8针 SON封装 MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
Category
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商业参数

其他名称296-27232-2标准包装数量Cut Tape, Tape & Reel
标准封装名称SON

合规参数

RoHSContains lead / RoHS non-compliant欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900零件状态ACTIVE

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs10 V
FET特性Standard最大功率3.2W
下降时间(典型)10.4 ns晶体管类型:N, :N Channel
首抽头延迟27 ns元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1.6V @ 250µA击穿电压30 V
阈值电压:1.1V最大额定电流Catalog
导通电阻 RDS(On):2mohm导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs2.4@8V mOhm
最大功耗:3.2W传播延迟(最大)16 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30逻辑电压 - VIL, VIHYes
导通电阻(最大)2.4@8V栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs23nC @ 4.5V
峰值脉冲电流(8/20µs)200开关时间(Ton, Toff)(最大)11.4 ns
漏源电压(Vdss)30V峰值脉冲电流(10/1000µs)32 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds3420pF @ 15V连续漏极电流(Id)@ 25°C32A (Ta), 100A (Tc)

机械参数

宽度6.1(Max)重量0
包装方式Tape and Reel安装类型Surface Mount
封装形式8SON总长度5.1(Max)
包装数量SON位数8
外壳尺寸-插件1.05(Max)供应商器件封装8-SON

产品信息

软件SLPS246B通道类型Enhancement
配置Single使用的IC/零件View
其他规格4印刷电路板数量8

环境参数

测试温度-55 to 150工作温度-55 to 150 °C

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