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CSD17309Q3
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SON T/R MOSFET N-CH 30V 60A 8SON MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET N CHANNEL, MOSFET, 30V, 60A, SON 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=30 V, 8针 SON封装 |
| Category |
商业参数
| 商标名 | NexFET | 其他名称 | 296-27250-2 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | Cut Tape, Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SON |
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 海关税号 | 85412900 | 零件状态 | ACTIVE |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 3.6 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 10 V | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 2.8W | 噪声系数 | Not Required dB |
| 额定功率 | 2.8 W | 额定输出功率 | Not Required dB |
| 下降时间(典型) | 3.6 ns | 最大频率 | Not Required MHz |
| 上升时间(典型) | 9.9 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 13.2 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)(最大)@ Id | 1.7V @ 250µA | 击穿电压 | 30 V |
| 阈值电压 | :1.2V | 最大额定电流 | Catalog |
| 导通电阻 RDS(On) | :4.9mohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5.4@8V mOhm |
| 最大功耗 | 2800 | 传播延迟(最大) | 9.9 ns |
| 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 30 V | 漏电流(最大) | 20 A |
| 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes | 导通电阻(最大) | 5.4@8V |
| 栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10nC @ 4.5V | 峰值脉冲电流(8/20µs) | 112 |
| 开关时间(Ton, Toff)(最大) | 6.1 ns | Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic | Not Required % |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 峰值脉冲电流(10/1000µs) | 20 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 8 V, + 10 V | 漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0) | 20 A |
| 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 1440pF @ 15V | 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 20A (Ta), 60A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 3.3 | 重量 | 0 |
| 包装方式 | Tape and Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | 8SON |
| 冷却的封装 | SON | 总长度 | 3.3 |
| 包装数量 | SON | 位数 | 8 |
| 外壳尺寸-插件 | 1 | 供应商器件封装 | 8-SON |
产品信息
| 类型 | Power MOSFET | 系列 | CSD17309Q3 |
| 已删除 | Compliant | 极性 | N |
| 软件 | SLPS261B | 通道类型 | Enhancement |
| 配置 | Single | 图案编号 | Y |
| 功能框图 | fbd_slps261b.gif | 使用的IC/零件 | View |
| 其他规格 | 1.7 | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | -55 to 150 °C |
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