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CSD17309Q3

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CSD17309Q3

Manufacturer
Description
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SON T/R MOSFET N-CH 30V 60A 8SON MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET N CHANNEL, MOSFET, 30V, 60A, SON 30V N Channel NexFET™ Power MOSFET Texas Instruments , N沟道 MOSFET 晶体管, 60 A, Vds=30 V, 8针 SON封装
Category
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商业参数

商标名NexFET其他名称296-27250-2
产品类别MOSFET标准包装数量Cut Tape, Tape & Reel
工厂包装数量2500标准封装名称SON

合规参数

RoHSContains lead / RoHS non-compliant欧盟RoHSCompliant
海关税号85412900零件状态ACTIVE
抗辐射加固No

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide下降时间3.6 ns
最大栅源电压 Vgs10 VFET特性Logic Level Gate
最大功率2.8W噪声系数Not Required dB
额定功率2.8 W额定输出功率Not Required dB
下降时间(典型)3.6 ns最大频率Not Required MHz
上升时间(典型)9.9 ns晶体管类型N-Channel
首抽头延迟13.2 ns元件数量1
Vgs(th)(最大)@ Id1.7V @ 250µA击穿电压30 V
阈值电压:1.2V最大额定电流Catalog
导通电阻 RDS(On):4.9mohm导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs5.4@8V mOhm
最大功耗2800传播延迟(最大)9.9 ns
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic30 V漏电流(最大)20 A
逻辑电压 - VIL, VIHYes导通电阻(最大)5.4@8V
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs10nC @ 4.5V峰值脉冲电流(8/20µs)112
开关时间(Ton, Toff)(最大)6.1 nsVce饱和电压(最大)@ Ib, IcNot Required %
漏源电压(Vdss)30V峰值脉冲电流(10/1000µs)20 A
栅极触发电压 Vgt (最大)- 8 V, + 10 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)20 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds1440pF @ 15V连续漏极电流(Id)@ 25°C20A (Ta), 60A (Tc)

机械参数

宽度3.3重量0
包装方式Tape and Reel安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式8SON
冷却的封装SON总长度3.3
包装数量SON位数8
外壳尺寸-插件1供应商器件封装8-SON

产品信息

类型Power MOSFET系列CSD17309Q3
已删除Compliant极性N
软件SLPS261B通道类型Enhancement
配置Single图案编号Y
功能框图fbd_slps261b.gif使用的IC/零件View
其他规格1.7印刷电路板数量8

环境参数

测试温度-55 to 150工作温度-55 to 150 °C

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