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CSD17483F4
| Manufacturer | |
| Description | Trans MOSFET N-CH 30V 1.5A 3-Pin PicoStar T/R MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR MOSFET 30V N-CH Pwr MOSFET 30V, N-Channel FemtoFET™MOSFET Texas Instruments FemtoFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 T, 1.5 A, Vds=30 V, 3针 PICOSTAR封装 |
| Category |
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商业参数
| 商标名 | FemtoFET | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 零件状态 | ACTIVE |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 3.4 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 | FET特性 | Logic Level Gate |
| 栅极电荷 | 1010 pC | 最大功率 | 500mW |
| 额定功率 | 500 mW | 开通延迟时间 | 3.3 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间（典型） | 1.3 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 关断延迟时间 | 10.6 ns |
| 首抽头延迟 | 10.6 ns | 供电电压 | 30 V |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 370 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 最大额定电流 | Catalog | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 500mA, 8V |
| 平均正向功率 | 500 mW | 最大功耗 | 0.5 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 逻辑电压 - VIL, VIH | Yes |
| 导通电阻（最大） | 260 mOhms | 电流传输比（最小） | 2.4 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 1.3nC @ 4.5V | 峰值脉冲电流（8/20µs） | 5 |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 3.3 ns | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 12 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 1.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 190pF @ 15V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 1.5A (Ta) |
机械参数
| 宽度 | 0.64mm | 高度 | 0.35mm |
| 长度 | 1.04mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | 3-XFDFN |
| 包装数量 | 3000 | LARGE T&R | 尺寸/外形 | 1.04 x 0.64 x 0.35mm |
| 供应商器件封装 | 3-PICOSTAR | ||
产品信息
| 系列 | CSD17483F4 | 功能 | Y |
| 软件 | SLPS447C | 技术 | Si |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | Texas Instruments |
| 卡标准 | FemtoFET MOSFET | 配置 | Single |
| 图案编号 | Y | 功能框图 | fbd_slps447c.gif |
| 使用的IC/零件 | View | 其他规格 | 0.13 |
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | - 55 C |
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