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CSD87331Q3D
| Manufacturer | |
| Description | MOSFET 30V Sync Buck NexFET Power Block Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/R IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON 30-V Synchronous Buck NexFET™ Power Block Texas Instruments 双 Si N沟道 MOSFET 模块 , 45 A, Vds=30 V, 8针 SON封装 |
| Category |
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商业参数
| 商标名 | NexFET | 其他名称 | 296-29695-2 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 2,500 |
| 工厂包装数量 | 2500 | ||
合规参数
| RoHS | Contains lead / RoHS compliant by exemption | 欧盟RoHS | Compliant |
| 零件状态 | ACTIVE | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 电流 | 10 | FET类型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 下降时间 | 1.3 ns, 2.4 ns | 最大栅源电压 Vgs | 10 |
| FET特性 | Standard | 栅极电荷 | 2.7 nC, 6.4 nC |
| 最大功率 | 6W | 功率等级 | 1.3 |
| 额定功率 | 6 W | 开通延迟时间 | 3.4 ns，3.8 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间（典型） | 4.5 ns, 4.7 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 关断延迟时间 | 7.4 ns, 11.2 ns |
| 首抽头延迟 | 7.4 ns, 11.2 ns | 供电电压 | 30 V |
| 通道数量 | 2 Channel | 元件数量 | 2 |
| 输入电阻 | 5.5 mΩ，18 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.1V @ 250µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 18 mOhms | 平均正向功率 | 6 W |
| 最大功耗 | 6 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V |
| 导通电阻（最大） | 18 mOhms, 5.5 mOhms | 电流传输比（最小） | 48 S / 26 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 3.2nC @ 4.5V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 3.4 ns, 3.8 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 2.1 V, 1.2 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 15 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 518pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 15A | ||
机械参数
| 宽度 | 3.4mm | 高度 | 1.5mm |
| 长度 | 3.4mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 | 封装形式 | 8-LDFN Exposed Pad |
| 冷却的封装 | SON EP | 总长度 | 3.4(Max) |
| 包装数量 | SON EP | 尺寸/外形 | 3.4 x 3.4 x 1.5mm |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1.5(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SON-EP (3.3x3.3) | ||
产品信息
| 系列 | CSD87331Q3D | 功能 | Y |
| 软件 | SLPS283A | 技术 | Si |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | Texas Instruments |
| 配置 | Dual | 图案编号 | Y |
| 功能框图 | alt_slps283a.gif | 使用的IC/零件 | View |
| 印刷电路板数量 | 8 | ||
环境参数
| 测试温度 | -55 to 150 | 工作温度 | + 150 C |
| 结工作温度 | 125C | ||
Documents & Media
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