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LF353DR
| Manufacturer | |
| Description | OP Amp Dual GP ±18V 8-Pin SOIC T/R IC OPAMP JFET 3MHZ 8SOIC Operational Amplifiers - Op Amps Dual JFET Op Amp OP Amp Dual GP �18V 8-Pin SOIC T/R Dual General-Purpose JFET-input Operational Amplifier Operational Amplifier Dual 3 MHz SOIC-8, LF353, LF353DR, Texas Instruments Texas Instruments LF353D 双 运算放大器, 3MHz, 8针 SOIC |
| Category |
商业参数
| 产品 | Operational Amplifiers | 其他名称 | 296-14587-2 |
| 产品类别 | Operational Amplifiers - Op Amps | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 | 标准封装名称 | SOIC |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 零件状态 | ACTIVE | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 增益 | 100 dB | 频率 | 18nV/√Hz |
| 压摆率 | 13@±15V V/us | 输入类型 | Rail-to-Rail |
| 1kHz噪声电压 | 18 | 输出类型 | No |
| 失调漂移 | 10 | 输入功率 | Dual |
| 额定功率 | 0.5 W | 转换速率 | 13V/µs |
| 输入阻抗 | 0.01 pA/sqrt Hz | 共模抑制比、电源抑制比（典型） | 70 dB |
| 输出电流 | 3.6mA | 供电电流 | 6.5@±15V@0C to 70C mA |
| 供电电压 | ±3.5 V | 供电类型 | Dual |
| 通道数量 | 2 | 元件数量 | 2 |
| 输入偏置电流 | 50pA | 最大额定电流 | Catalog |
| 典型电压增益 | 100 dB | 噪声 - 0.1Hz至10Hz | 18 nV/√Hz |
| 最小输入电压 | 5mV | 增益带宽积 | 3 MHz |
| 轨到轨工作 | No | 平均正向功率 | 500 mW |
| 最大功耗 | 500 | 静态电流 (Iq) | 3.25 |
| 输入偏置电流（最大） | 0.0002@±15V uA | 输入失调电流（最大） | 0.0001@±15V |
| 25°C失调电压 | 10 | 输入噪声电流密度 | 0.01@±15V pA/rtHz |
| 输入噪声电压密度 | 18@±15V nV/rtHz | 共模电压 (Vcm) | Negative Rail + 4 V to Positive Rail - 4 V |
| 电源电压范围（典型） | �5/�9/�12/�15 V | 输入失调电压（最大） | 10@±15V mV |
| 双电源电压（V+/-） | ±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V | 电压输出差（典型值）@ 距离 | 100 dB |
机械参数
| 宽度 | 3.91mm | 高度 | 1.58mm |
| 长度 | 4.9mm | 重量 | 0.002561 oz |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 8 | 封装形式 | 8SOIC |
| 冷却的封装 | SOIC | 总长度 | 5(Max) |
| 包装数量 | SOIC | 尺寸/外形 | 4.9 x 3.91 x 1.58mm |
| 位数 | 8 | 外壳尺寸-插件 | 1.5(Max) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | ||
产品信息
| 类型 | General Purpose Amplifier | 设计类型 | Dual |
| 系列 | LF353 | 功能 | Y |
| 关断 | No | 软件 | SLOS012B |
| 技术 | BiFET | 制造商全称 | Wideband Amplifier |
| 放大器类型 | J-FET | 电路数 | 2 |
| 使用的IC/零件 | View | 印刷电路板数量 | 8 |
环境参数
| 测试温度 | 0 to 70 | 工作温度 | 0 to 70 °C |
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